王坤鹏
,
章海霞
,
翟光美
,
姜武
,
翟化松
,
许并社
人工晶体学报
分别以Zn粉和S粉为原材料,Ga为掺杂剂,Au纳米颗粒为催化剂,采用低温化学气相沉积法(CVD),在Si(l00)衬底上制备了Ga掺杂的ZnS纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、能量弥散X-ray谱(EDS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和光致发光光谱(PL)等测试手段对样品的结构、成分、形貌和...
关键词:
ZnS纳米结构
,
Ga掺杂
,
光致发光
,
化学气相沉积法
,
生长机理
马硕章
,
张飞鹏
,
房慧
,
张忻
,
路清梅
,
张久兴
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.01.016
在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能.计算结果表明, Ga掺杂使ZnO氧化物晶胞增大;在所研究温度范围内,纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不断增大,其晶格热容在最高温度900 K分别达到16.5 Ca...
关键词:
材料
,
ZnO
,
Ga掺杂
,
热学性能
邓泉荣
,
李义奇
,
陈恋
,
王升高
,
王戈明
人工晶体学报
通过向TiO2粉体中加入质量分数为1％～15％的Ga2O3粉末,制备了Ga掺杂的TiO2陶瓷靶,并采用脉冲激光沉积法(PLD)用陶瓷靶制备出TiO2薄膜,将薄膜于800～1000℃下退火.对薄膜结构和光学性质的研究表明1000℃退火条件下浓度为1％ Ga2O3掺杂能有效将金红石相TiO2的禁带宽度减...
关键词:
TiO2薄膜
,
脉冲激光沉积
,
Ga掺杂
,
可见光吸收
刘鹏
,
王桂英
,
唐永刚
,
毛强
,
刘宁
,
彭振生
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.04.015
用固相反应法制备La0.4Ca0.6 Mn1-xGaxO3(x =0,0.08,0.10,0.12,0.15)系列多晶样品.通过X射线衍射(XRD)图谱、电阻率-温度(ρ-r)曲线、磁化强度-温度(M-T)曲线和电子自旋共振(ESB)图谱,研究Ga3+替代Mn3+对La0.4 Ca0.6 Mn1-x...
关键词:
钙钛矿锰氧化物
,
Ga掺杂
,
电荷有序相
