王坤鹏
,
章海霞
,
翟光美
,
姜武
,
翟化松
,
许并社
人工晶体学报
分别以Zn粉和S粉为原材料,Ga为掺杂剂,Au纳米颗粒为催化剂,采用低温化学气相沉积法(CVD),在Si(l00)衬底上制备了Ga掺杂的ZnS纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、能量弥散X-ray谱(EDS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和光致发光光谱(PL)等测试手段对样品的结构、成分、形貌和发光性能进行了分析.结果表明:随着温度的升高(450～ 550℃),Ga掺杂ZnS纳米结构的形貌发生了从蠕虫状纳米线到光滑纳米线再到纳米棒的演变,所制备的Ga掺杂的ZnS纳米结构均为六方纤锌矿结构,分别在波长为336 nm和675 nm处存在一个较强的近带边紫外发射峰和一个Ga掺杂引起的微弱红光峰,而其它发光峰均是缺陷引起的.此外,本文还对Ga掺杂ZnS纳米结构的形成过程进行了探讨,并提出了可能的形成机理.
关键词:
ZnS纳米结构
,
Ga掺杂
,
光致发光
,
化学气相沉积法
,
生长机理
马硕章
,
张飞鹏
,
房慧
,
张忻
,
路清梅
,
张久兴
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.01.016
在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能.计算结果表明, Ga掺杂使ZnO氧化物晶胞增大;在所研究温度范围内,纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不断增大,其晶格热容在最高温度900 K分别达到16.5 Cal.mol-1K-1和31.3 Cal.mol-1K-1.纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的德拜温度θD均随温度升高不断增大.Ga掺杂在ZnO中引入了新的振动模式.
关键词:
材料
,
ZnO
,
Ga掺杂
,
热学性能
邓泉荣
,
李义奇
,
陈恋
,
王升高
,
王戈明
人工晶体学报
通过向TiO2粉体中加入质量分数为1％～15％的Ga2O3粉末,制备了Ga掺杂的TiO2陶瓷靶,并采用脉冲激光沉积法(PLD)用陶瓷靶制备出TiO2薄膜,将薄膜于800～1000℃下退火.对薄膜结构和光学性质的研究表明1000℃退火条件下浓度为1％ Ga2O3掺杂能有效将金红石相TiO2的禁带宽度减小至2.62 eV,使其吸收边红移动至470 nm.
关键词:
TiO2薄膜
,
脉冲激光沉积
,
Ga掺杂
,
可见光吸收
刘鹏
,
王桂英
,
唐永刚
,
毛强
,
刘宁
,
彭振生
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.04.015
用固相反应法制备La0.4Ca0.6 Mn1-xGaxO3(x =0,0.08,0.10,0.12,0.15)系列多晶样品.通过X射线衍射(XRD)图谱、电阻率-温度(ρ-r)曲线、磁化强度-温度(M-T)曲线和电子自旋共振(ESB)图谱,研究Ga3+替代Mn3+对La0.4 Ca0.6 Mn1-xGaxO3体系电荷有序相的影响.结果表明,当Ga掺杂量高达15％时电荷有序相仍然没有被破坏.这是因为Ga3+是非磁性离子,而La0.4Ca0.6 MnO3是CE型反铁磁电荷有序相结构,Ga3+替代Mn3+只是仅仅起到把体系中的长程自旋序破坏为短程自旋序的作用,同时随Ga替代量增大,Mn3与Mn4+的比远离双交换的最佳摩尔配比(Mn3+∶Mn4+ =2∶1),不利于双交换,因而非磁性的Ga3+替代Mn3+难以破坏La0.4 Ca0.6 MnO3的电荷有序相.
关键词:
钙钛矿锰氧化物
,
Ga掺杂
,
电荷有序相
潘洪革
,
陈昀
,
陈长聘
,
杨伏明
金属学报
本文详细研究了Ga取代Sm（R，Mo）12化合物中的部分Fe对其结构和内禀磁性的影响．其中包括：Ga在Sm（Fe，Mo）12化合物中的原子占位，不同Ga取代对SmFe10．7－xMo1．3Gax化合物的晶胞常数，Curie温度，饱和磁化强度，磁晶各向异性的影响．实验结果表明：Ga替代增加晶胞体积，降低Curie温度，减小饱合磁化强度，降低Fe原子的平均磁矩；随Ga含量的提高，SmFe10．7－xMo1．3Gax化合物由单轴向锥面各向异性转变
关键词:
Sm（Fe，Mo）_（12）化合物
,
Mo)_(12)
,
Ga substitution
