王浩
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廖常俊
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范广涵
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刘颂豪
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郑树文
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李述体
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郭志友
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孙慧卿
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陈贵楚
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陈炼辉
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吴文光
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李华兵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021
应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.
关键词:
MOCVD
,
双晶衍射
,
GaAlInP
,
拟合
