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GaAs基底TiO2/SiO2减反射膜的反射率性能分析

肖祥江 , 涂洁磊

人工晶体学报

本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性.利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响.结果显示,在短波范围(300 ~600 nm),TiO2膜厚对反射率的影响要大于SiO2,而SiO2折射率对反射率的影响比TiO2大;在中波范围(600~900 nm),随着单层膜的厚度和折射率的增加,双层膜系反射率存在一个最小值,变化趋势是先降低,而随后增加.同时,计算结果得到SiO2和TiO2的最优物理膜厚分别为78.61nm和50.87nm,此时在短波段中心波长λ1=450nm处最小反射率为0.0034%,在中波段中心波长λ2=750nm处最小反射率为0.495%.采用电子束蒸发法在GaAs基底上淀积TiO2/SiO2双层膜,厚度分别为78 nm和5O nm.实测短波和中波相应的反射率极小值分别为0.37%和2.95%,与理论结果吻合较好.

关键词: GaAs多结太阳电池 , TiO2/SiO2双层减反射膜 , 电子束蒸发 , 折射率

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