罗子江
,
周勋
,
王继红
,
郭祥
,
丁召
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.11.022
通过对于 GaAs 表面形貌在特定 As BEP (1．33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低 GaAs 预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1．33μPa)GaAs 表面将不会发生预粗糙转变.采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据对这一现象进行理论解释,理论计算出 GaAs 预粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合.采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对实验现象进行了合理的理论解释,认为在特定条件下GaAs 表面系统存在预粗糙化临界转变温度,当衬底温度接近这一温度时,临界减慢现象将会发生；当温度低于临界转变温度时,无论延长多少时间表面形貌相变过程将不会发生.
关键词:
临界减慢
,
GaAs薄膜
,
预粗糙化
,
临界温度
王继红
,
罗子江
,
周勋
,
郭祥
,
周清
,
刘珂
,
丁召
功能材料
采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs (001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因.
关键词:
GaAs薄膜
,
MBE
,
RHEED
,
STM
,
熟化
李龙
,
章海霞
,
刘晶
,
马淑芳
,
梁建
,
许并社
人工晶体学报
采用分步电化学沉积法,在FTO玻璃基底上成功制备出GaAs薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外可见光光度计(UV-Vis)、荧光光度计(PL)对不同退火工艺下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行表征.结果表明:GaAs薄膜为面心立方晶系,沿(111)方向择优生长.随着退火温度的升高,薄膜内颗粒逐渐增大,Ga与As原子量比发生变化,Eg值减小,光致发光峰为红外发射峰.同时对其形成机理进行了探讨.
关键词:
GaAs薄膜
,
电沉积
,
退火
