罗子江
,
周勋
,
杨再荣
,
贺业全
,
何浩
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体.
关键词:
MBE
,
RHEED图像
,
粗糙化
,
EDS
,
GaAs表面重构
