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High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Misfit Dislocations Array

材料科学技术（英文）

关键词: MOCVD生长 , GaAs衬底 , 失配位错 , 锑化镓 , 阵列 , 国际货币基金组织 , 半绝缘砷化镓 , 化学气相沉积法

离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

宋书林 , 陈诺夫 , 周剑平 , 尹志岗 , 李艳丽 , 杨少延 , 刘志凯

功能材料

室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明...

关键词: GaAs:Gd薄膜 , 低能离子束外延 , GaAs衬底