宋书林
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陈诺夫
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周剑平
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尹志岗
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李艳丽
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杨少延
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刘志凯
功能材料
室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.
关键词:
GaAs:Gd薄膜
,
低能离子束外延
,
GaAs衬底
