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GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算

高少文 , 陈意桥 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.002

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层.研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系.

关键词: GaInAs/GaInAsP , 应变量子阱 , 色散