董琛
,
韩修训
,
孙文华
,
高欣
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.015.003
GaInAsN能与GaAs、Ge等重要衬底晶格匹配，并同时满足三结或四结太阳能电池的带隙要求，因而备受瞩目。但目前制备高质量的GaInAsN材料仍十分困难，主要原因在于N在GaInAs中的固溶度特别低，难以实现均匀并入，由此产生的N缺陷很大程度上降低了该材料体系的光电性能。总结了近年来GaInAsN薄膜材料应用于太阳能电池的研究进展，介绍了GaInAsN材料体系的研究历程和基本物理特性，分析了GaInAsN材料体系存在的关键问题，讨论了目前优化GaInAsN薄膜质量和太阳能电池性能的方法。在此基础之上，对GaInAsN光伏材料的研究发展趋势做了展望。
关键词:
GaInAsN
,
外延生长
,
太阳能电池
张国芳
,
唐吉玉
,
陈俊芳
,
周福成
,
林邦惜
,
廖建军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.006
随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs( In-GaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究.四元化合物材料Ga1-xInxAs1-yNy通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev - 1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料.在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比.结果显示,该结构可以获得较高的转换效率.
关键词:
GaInAsN
,
太阳能电池
,
转换效率
