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检索条件：关键词=GaN晶体
蒋联娇 , 符斯列 , 秦盈星 , 李健翔
功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.12.023
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法分别计算了 VGa和 VN 距掺入 Mn 原子为近邻、次近邻、远近邻各3种情况下GaN体系的电子结构和光学性质,分析比较了空位的不同位置对 Mn 掺杂 GaN 体系磁性的影响。计算结果表明,Mn掺杂会导致GaN体系带隙增大且体系表现为半金属铁磁性；VN 的...
关键词: GaN晶体 , Mn掺杂 , 空位 , 电子结构 , 光学性质
周明斌 , 李振荣 , 范世(马岂) , 徐卓
人工晶体学报
采用Na助熔剂法在7 MPa氮压下并引入较大温度梯度(20～70℃/cm),获得了大量毫米级的GaN晶体,GaN晶体产率高达70％以上.光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体.晶体粉末衍射分析表明,生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构,与标准卡片符合得很好,而单晶衍射图谱中出现(1011)的衍射峰...
关键词: 温度梯度 , GaN晶体 , Na助熔剂法
