曹文田
,
孙振翠
,
魏芹芹
,
薛成山
,
庄惠照
,
高海永
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.019
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配.同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高.
关键词:
射频磁控溅射
,
Ga2O3薄膜
,
GaN晶体膜
,
氮化温度
曹文田
,
孙振翠
,
魏芹芹
,
薛成山
,
孙海波
稀有金属材料与工程
采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.实验结果显示:采用该工艺制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,对GaN膜的形成起着非常有利的作用.
关键词:
热壁化学气相沉积
,
GaN晶体膜
,
载体H2
