于海群
,
左然
,
陈景升
人工晶体学报
提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器.针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流(筒)壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的影响.模拟结果显示,衬底表面大部分区域具有均匀的温场和良好的...
关键词:
多喷淋头
,
MOCVD
,
反应器设计
,
GaN生长
,
数值模拟
曹盛
,
张建立
,
徐龙权
,
唐子涵
人工晶体学报
以低速旋转、加高喷头、垂直喷淋的MOCVD反应室为对象,运用三维数学输运模型分析与计算.在模拟过程中分析了压强的变化对高喷头反应室流场的影响,着重分析与讨论了操作压强变化与GaN薄膜的沉积一致性及平均生长速率的关系,其次探讨了实验值与模拟值对比结果,从而对薄膜的均匀性及平均生长速率进行一定的预测,最...
关键词:
MOCVD
,
加高喷头
,
GaN生长
,
均匀性
,
数值模拟
李志明
,
郝跃
,
张进成
,
许晟瑞
,
毕志伟
,
周小伟
人工晶体学报
在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关.通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强...
关键词:
GaN生长
,
MOCVD
,
数值仿真
