材料期刊网

Ga2O3氮化法合成GaN粉体的研究

殷立雄 , 王芬 , 杨茂举 , 黄艳

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.010

在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体.通过XRD和AFM对生成物进行了分析,并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响.结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃,NH3流量为26L/h时能够合成高纯度的六方GaN粉体.

关键词: GaN粉体 , Ga2O3 , 氨气 , 管式炉