庄惠照
,
高海永
,
薛成山
,
王书运
,
何建廷
,
董志华
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.031
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.
关键词:
GaN纳米管
,
ZnO/Ga2O3薄膜
,
射频磁控溅射
,
氮化
