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GaN薄膜的制备及其振动光谱的密度泛函理论研究

李恩玲 , 王珊珊 , 王雪文

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01121

以氧化镓为镓源, 用溶胶-凝胶和高温氨化二步法, 在Si(111)衬底上制备出GaN薄膜. X射线衍射(XRD)分析表明制备的GaN薄膜是六角纤锌矿结构; 扫描电子显微镜(SEM)图片显示GaN晶粒的尺寸<100nm; 薄膜的红外光谱(FTIR)中有GaN的E1 (TO)声子模式. 用密度泛函...

关键词: 氮化镓 , sol-gel , density functional theory(DFT) , null

AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究

徐明升 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567...

关键词: SiC衬底 , GaN薄膜 , AlGaN成核层 , 应力 , 晶体质量

MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究

孙孪鸿 , 邹军 , 徐家跃 , 李文博

人工晶体学报

本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层InGaN/GaN多量子阱结构的GaN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征.分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品B...

关键词: 蓝宝石 , GaN薄膜 , MOCVD

高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度

崔潆心 , 徐明升 , 徐现刚 , 胡小波

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150069

利用高分辨 X 射线衍射方法,分析了在4H-SiC(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的GaN 薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得 GaN ...

关键词: 氮化镓薄膜 , 高分辨X射线衍射 , 位错密度

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