欢迎登录材料期刊网
检索条件:关键词=GaP∶N LED
赵普琴 , 杨锡震 , 薛洪涛
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.02.006
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流.p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场...
关键词: GaP∶N LED , 结构参数优化 , 载流子 , 浓度