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稀土Gd对热压烧结Bi_2Te_3基材料热电性能的影响

任攀 , 吴荣归 , 张艳华 , 徐桂英

材料科学与工程学报

稀土元素对Bi_2Te_3基材料热电性能的影响一直是Bi_2Te_3基热电材料研究的热点.本文研究了不同Gd掺杂量Bi_2Te_3基热电材料的热压烧结工艺参数,运用XRD,SEM方法对材料的物相成分和形貌进行了表征,研究了20MPa下不同Gd掺杂对Bi_2Te_3基材料的载流子浓度、电导率、Seebeck系数的影响.研究结果表明,Gd掺杂没有明显改变Bi_2Te_3基材料的晶体结构,适量的Gd掺杂有利于减小载流子浓度、提高Bi_2Te_3基材料的热电性能.

关键词: Bi_2Te_3基材料 , 热压烧结 , Gd掺杂 , 热电性能

Gd掺杂CeB6基阴极材料的制备及性能

梁超龙 , 张忻 , 刘洪亮 , 张繁星 , 王杨 , 郑亮 , 张久兴

稀有金属材料与工程

以CeB6和GdB6粉末为原料,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了高致密的多元稀土六硼化物GdxCe1-xB6(x=0.0~1.0)多晶块体.系统研究了Gd掺杂对GdxCe1-xB6多晶块体的物相组成、力学性能、电阻率及热发射性能的影响.研究结果表明,在烧结温度为1550℃,烧结压强为50 MPa,保温5 min的工艺条件下,可获得高致密的GdxCe1-xB6单相块体材料.烧结块体的维氏硬度可达24.02 GPa.热电子发射性能测试结果表明,适量的Gd掺杂可以显著提高电子发射性能,其中Gd0.1Ce0.9B6成分块体具有最佳的热电子发射性能,在1600℃,4 kV外加电压条件下,发射电流密度达到101.57A·cm-2,零场电流密度达到21.94 A·cm-2,平均有效逸出功为2.34 eV,优于同一条件下GdB6和CeB6块体的热发射性能.

关键词: CeB6基阴极材料 , Gd掺杂 , 热电子发射性能 , 放电等离子烧结

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