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Ce3+掺杂对GdAl3(BO3)4:Dy3+和GdAl3(BO3)4:Tb3+荧光粉发光性能的影响

杨成浩 , 潘跃晓 , 张勤远

稀有金属材料与工程

用湿化学方法合成了Ce3+/Dy3+及Ce3+/Tb3+共掺GdAl3(BO3)4发光材料.利用X射线衍射仪对其进行了物相分析,结果表明:合成物为纯的六方相GdAl3(BO3)4微晶.利用荧光分光光谱仪进行光谱分析,测定了合成样品的激发和发射光谱.发现在紫外激发下,GdAl3(BO3)4:Dy荧光粉发射出很强的偏黄的白光,其发射峰分别位于480,575和665 nm,对应于Dy3+的4F9/2→6H15/2,13/2,11/2跃迁.掺Ce3+对Dy3+起到敏化作用,GdAl3(BO3)4:Dy,Ce发出很亮的暖白光,且强度是GdAl3(BO3)4:Dy的3倍左右.同时,在Ce3+/Tb3+共掺的样品中,由于Ce3+与Tb3+间的能量传递,Tb3+的541 nm特征峰显著增强.

关键词: 湿化学法 , GdAl3(BO3)4 , 荧光粉 , 光致发光

等离子显示屏(PDP)用新型红色发光体的合成及光学特性

王育华 , Endo Tadshi

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.05.002

为开发出等离子显示屏用新型红色荧光体,研究了GdAl3(BO3)4∶Eu,Gd2SiO5∶Eu的紫外和真空紫外发光特性.在147nm激发下GdAl3(BO3)4∶Eu3+呈色坐标为(0.645,0.330)的强红光发射,说明是非常有前途的PDP用红色发光材料.在GdAl3(BO3)4∶Eu3+的激发光谱中,除观察到Eu3+的电荷迁移带(峰值位于258nm)外,还观察到峰值位于155nm的宽带.依据硼酸盐的吸收数据将其归属于BO3基团的吸收.另外观察到Gd3+8S7/2→6I11/2跃迁(274nm)及在真空紫外(158~160nm)激发下,Eu3+的红光发射强度随着Eu3+浓度的增加而减弱,说明BO3基团吸收的能量经Gd3+为媒介转移到Eu3+.分析Gd2SiO5∶Eu的激发光谱,得到Eu3+的电荷迁移带是峰值位于256nm的宽带,峰值位于183nm的宽带可能是Gd3+的电荷迁移带.在256nm激发下Gd2SiO5∶Eu3+呈强红光发射,但是147nm激发下很弱.这是由于真空紫外激发效率低的原因,其特点可由其晶体结构即激活离子所处的环境解释.

关键词: 等离子显示屏 , GdAl3(BO3)4 , Gd2SiO5∶Eu , 发光体

GdAl3(BO3)4:Eu3+荧光粉的光致发光特性

王育华 , 远滕忠 , 都云昆

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.011

用硝酸盐热分解法合成了单相粉末样品Gd1-xEuxAl3(BO3)4(0≤x≤1).研究了Eu3+在GdAl3(BO3)4中的紫外和真空紫外光谱性质.GdAl3(BO3)4:Eu3+中稀土离子占据非中心对称的格位,Eu3+在其中的特征发射以5Do→7F2电偶极跃迁为主.在147nm激发下GdAl3(BO3)4:Eu3+呈色坐标为(0.645,0.330)的强红光发射,说明是非常有前途的PDP用红色发光材料.在GdAl3(BO3)4:Eu3+的真空紫外光谱中观察到两个峰,158nm的激发带归属于BO3基团的吸收,258nm处的激发带为Eu3+→O2-的电荷转移跃迁带.在147nm激发下,GdAl3(BO3)4:Eu3+的红光发射强度随着Eu3+浓度的增加而减弱,而在258nm激发下随Eu3+浓度的增大Eu3+的红光发射增强,说明它们发光的机理不同.

关键词: GdAl3(BO3)4 , 发光 , 紫外及真空紫外光谱

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