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Ge掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

范东华 , 王相虎

材料导报

采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射.通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的施主能级有关,弱黄峰可能源于Ge替代Zn空位形成的杂质能级到价带的跃迁复合.

关键词: Ge掺杂ZnO薄膜 , 光致发光 , 蓝光发射 , 黄光发射