叶春暖
,
汤乃云
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
俞跃辉
,
姚伟国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.003
采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.为探讨其发光机制,对薄膜的结构进行了表征.XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nmPL由GeO缺陷引起,580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光中心相联系.
关键词:
Ge-SiO2薄膜
,
磁控溅射
,
光致发光
