李代宗
,
于卓
,
雷震霖
,
成步文
,
余金中
,
王启明
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.020
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了Pendellosung干涉条纹,说明...
关键词:
超高真空化学气相淀积
,
GeSi
,
X射线双晶衍射
Wenhua SHI
,
Lei ZHAO
,
Liping LUO
,
Qiming WANG
材料科学技术（英文）
The fluctuations of the strained layer in a superlattice or quantum well can broaden the width of satellite peaks in double crystal X-ray diffraction (DCXRD) pattern. It is found that the width of the 0th peak is directly proportional to the fluctuation of the strained layer if the other related fac...
关键词:
X-ray diffraction
,
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