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GexSi1-x/Si中应变的会聚束电子衍射研究

范缇文 , 吴巨 , 王占国

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.026

介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x/ Si化学梯度层中应变分布的实验结果,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径.

关键词: Gex Si1-x , 会聚束电子衍射 , 计算机模拟 , 应变