刘正堂
,
耿东生
,
宋建全
,
朱景芝
,
郑修麟
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2000.02.016
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)对制备的薄膜进行了分析.结果表明,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数.当沉积温度较低、射频功率不大时,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构.随着沉积温度升高、射频功率增大,薄膜中出现Ge微晶相.GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移,形成化学键.
关键词:
GexC1-x薄膜
,
磁控反应溅射
,
薄膜结构
