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锑化物HEMT器件研究进展

李彦波 , 刘超 , 张杨 , 曾一平

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.005

由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间.本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景.

关键词: 锑化物半导体 , 高电子迁移率晶体管 , HEMT , ABCS , 研究进展

高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性

王立敏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.010

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系.结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且高度有所上升.这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用.

关键词: HEMT , terahertz , 导纳 , 响应率

AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术

黄俊 , 魏珂 , 刘新宇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.017

对AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀.

关键词: AIGaN/GaN , HEMT , 凹栅槽 , 低损伤刻蚀 , C2H4

AlGaN/GaNHEMT器件研究

曾庆明 , 吕长志 , 刘伟吉 , 李献杰 , 赵永林 , 敖金平 , 徐晓春

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.010

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz.

关键词: GaN , HEMT

HEMT小信号等效电路参数提取

李洪芹 , 孙晓玮 , 夏冠群 , 程知群 , 王德斌

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.007

本文用HEMT小信号等效电路模型,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法.采用这些方法,提取了HEMT器件32-39GHz八个频率点的S参数值.实验结果表明,该方法简单有效,具有可操作性.

关键词: HEMT , 参数提取 , 小信号等效电路

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for High-Power and Low-Noise Applications

稀土学报(英文版)

关键词:

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for High-Power and Low-Noise Applications

稀土学报(英文版)

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AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for High-Power and Low-Noise Applications

稀土学报(英文版)

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AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for High-Power and Low-Noise Applications

稀土学报(英文版)

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稀土学报(英文版)

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