王晓静
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张辰
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张焱
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冯庆荣
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王越
低温物理学报
近来超薄MgB2薄膜被认为在研制新型超导电子器件方面具有比较重要的应用前景,对其超导特性的研究同时对理解低维度情形下的多带超导电性也有重要意义.在(0001)Al2O3衬底上,我们利用混合物理化学气相沉积方法生长了一系列厚度在50 nm至10 nm的MgB2超导薄膜,测量了薄膜的电阻率—温度曲线及其在不同磁场下的超导转变,考察了薄膜的基本特性参数如超导转变温度Tc、剩余电阻比RRR及超导上临界磁场Hc2等随薄膜厚度d的变化.测量发现H2 (T)随温度变化呈现出线性依赖关系,反映出MgB2薄膜的两带超导特性.随着d的降低,发现薄膜的Tc及RRR值逐渐下降,0K时的H2(0)逐渐升高.进一步地,我们发现薄膜的Tc与Hc2(0)都随RRR值呈现出比较单调的变化:Tc随RRR值降低而降低,Hc2(0)随RRR值降低而升高,表明RRR值是影响薄膜超导特性的比较重要的变量.依照两带超导理论对此现象的分析表明,与薄膜的RRR值降低相伴随的可能是MgB2薄膜内σ带电子和π带电子的带间散射率的增强.
关键词:
MgB2
,
超导薄膜
,
HPCVD法
,
剩余电阻比
,
上临界磁场
,
两带超导电性
,
带间散射
黄煦
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孙玄
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王亚洲
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冯庆荣
低温物理学报
用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)制备了MgB_2超薄膜.在背景气体压强、B_2H_6的流量和成膜时间等条件一定的情况下,当氢气的流量从200到400sccm范围内变化时,观察了其对成膜的影响.结果显示,随氢气流量增大,膜表面粗糙度增大,同时膜面的连接性变好,伴随着样品的超导转变温度得到提高.对于平均厚度是10nm和15nm的样品,氢气流量分别是200sccm和300sccm时,T_c分别是26K和33K与28K和37K.
关键词:
MgB_2超薄膜
,
HPCVD法
,
氢气流量
