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氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响

李天微 , 张建军 , 曹宇 , 倪牮 , 黄振华 , 赵颖

人工晶体学报

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200℃的衬底温度下,以SiH4和GeH4为反应气体,H2和He为稀释气体,制备微晶硅锗(μc-Si Gex∶H)薄膜.结合Raman,XRF,FTIR,AFM等测试,我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量(Ge含量～40％)μc-Si1-...

关键词: 微晶硅锗薄膜 , 等离子体增强化学气相沉积 , He稀释