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氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能

王晓明 , 谢二庆 , 叶凡 , 段辉高 , 周明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.021

利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相.场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大.文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论.电流一时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定.

关键词: 直流溅射 , HfNxOy薄膜 , 场致电子发射