王浩亮
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孙晓燕
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介万奇
人工晶体学报
本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnxTe的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnxTe进行化学抛光,发现用3%的Br2-MeOH腐蚀液时腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,得到光亮、整洁表面.AFM分析发现,化学抛光后表面粗糙度降低19.8%,整体均匀性提高.SEM分析发现,化学抛光后表面损伤层被全部去除.77 K时,化学抛光前后的范德堡霍尔测量发现,晶片化学抛光后,电阻率增加.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
腐蚀速度
,
平均粗糙度
,
电阻率
王泽温
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介万奇
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李宇杰
,
谷智
功能材料
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
范德堡法
,
导电类型
,
霍尔系数
王泽温
,
介万奇
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李培森
,
谷智
,
刘长友
,
李强
,
查钢强
,
汪晓芹
稀有金属材料与工程
采用范德堡法在77 K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量.结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右.化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%.本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
电学参数
,
霍尔迁移率
