杨雪娜
,
王弘
,
张寅
,
姚伟峰
,
尚淑霞
,
周静涛
,
刘延辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.008
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性.本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题.目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求.但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料.
关键词:
High-k材料
,
MOSFET
,
栅介质
,
薄膜
