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基于共振隧穿结构的压阻系数

魏天杰 , 薛晨阳 , 李艳 , 张文栋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.040

以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同.由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件.但是有些区域的斜率过大,以至于压阻效应失去线性及稳定性而变得没有实用价值.另外,在某些工作区域由于共振隧穿结构本身具有的双稳态特性,而使其完全失去压阻特性.本文对这些问题进行了系统分析,并对一个具体的结构,分析其工作区域及特性,给出最高灵敏度可达700左右.

关键词: 共振隧穿结构 , 压阻系数 , I-V曲线 , 灵敏度

铌硒化合物单晶的制备及其I-V曲线的测试

王洪涛

物理测试 doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2004.06.008

用气相输运法成功制备出了铌硒化合物(NbSe3)单晶,用电子扫描电镜(SEM)观测发现:制备出的单晶结晶性很好.另外,还对制备出的单晶进行了不同温度下的I-V曲线测试.

关键词: 铌硒单晶 , 制备 , I-V曲线

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