王华
,
李岩
功能材料
采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10-9A/cm2,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜的漏导机制不同,而且...
关键词:
铁电薄膜
,
Bi4Ti3O12
,
漏导机制
,
I-V特性
谢生
,
陈松岩
,
何国荣
,
周海文
,
吴孙桃
功能材料
通过对InP/GaAs异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合.界面电流-电压(I-V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流-电压...
关键词:
低温键合
,
磷化铟
,
砷化镓
,
I-V特性
,
键合强度
李强
,
介万奇
,
傅莉
,
汪晓芹
,
查钢强
,
曾冬梅
,
杨戈
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.052
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进...
关键词:
CZT晶体
,
PL谱
,
I-V特性
,
C-V特性
熊超
,
肖进
,
丁丽华
,
陈磊
,
袁洪春
,
徐安成
,
周详才
,
朱锡芳
,
潘雪涛
功能材料与器件学报
本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究.研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域...
关键词:
ZnO/n-Si异质结
,
I-V特性
,
C-V特性
,
内建电势
,
界面态
介万奇
,
人工晶体学报
利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体.通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变.晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面.利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征.XRD结果表明所生长的晶体为单相的α...
关键词:
碘化汞晶体
,
形貌转变
,
XRD
,
近红外透过率
,
I-V特性
许岗
,
介万奇
,
李高宏
人工晶体学报
利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性.测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109 Ω·cm.计算接触电阻Rc的结果表明,Au/H...
关键词:
碘化汞
,
Au
,
AuCl3
,
接触特性
,
I-V特性
杨陈
,
樊慧庆
,
焦岗成
,
惠迎雪
稀有金属材料与工程
采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜.随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1 h.实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方...
关键词:
La2O3薄膜
,
等离子辅助电子束蒸发
,
薄膜结构
,
I-V特性
,
透过率
倪梦莹
,
李清山
,
李媛媛
,
王会新
,
曹小龙
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.014
制备Al/多孔硅/c-Si/Al结构的多孔硅发光二极管,利用其I-V特性关系,以及在不同温度下其I-V特性的变化,结合多孔硅的特殊微结构及性质,分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程;通过比较其发光猝灭前后J-V特性的变化,解释了发光猝灭的原因.提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性...
关键词:
发光二极管
,
多孔硅
,
I-V特性
,
电致发光
