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Mg 2 Si/Si异质结的制备及I-V特性研究?

王善兰 , 廖杨芳 , 吴宏仙 , 梁枫 , 杨云良 , 肖清泉 , 谢泉

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.09.017

采用磁控溅射和热处理系统制备Mg2 Si/Si异质结.首先在 n-Si(111)衬底上沉积 Mg 膜，经热处理后得到Mg2 Si/Si异质结.利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪，研究了 Mg2 Si/Si 异质结的晶体结构、表面形貌、Mg2 Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型.结果表明，成功制备了Mg2 Si/Si 异质结，并得到其平均载流子浓度(－9．30×1012 cm－3)、导通电压(0．31 V)、导通电流(0．6 mA)、工作电压(0．53 V)等，测得该异质结为n-n型.

关键词: 磁控溅射 , Mg2Si/Si异质结 , I-V特性