郭杰
,
郝瑞亭
,
赵前润
,
满石清
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.027
采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,...
关键词:
InAs/GaSb
,
超晶格
,
ICP 刻蚀
,
刻蚀速率
,
表面形貌
