黄春波
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吕战鹏
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杨武
中国腐蚀与防护学报
对改性800合金(800M)在沸腾的50%NaOH+03%SiO2+03%Na2S2O3溶液中 不同电位下恒电位极化2 h后的表面膜进行了俄歇电子能谱(AES)分析,发现在所选择的电位 条件下(-500 mV~80 mV),表面膜中Ni的富集因子比Fe、Cr的大一个数量级,表面 膜富Ni而贫Fe、Cr.在-500 mV,800M合金C形环试样发生晶间腐蚀(IGA)是由于表面膜中S富 集、Cr的相对百分含量很低,S2-在晶界偏析及晶界形成严重贫铬区.富集因子随电位 的变化曲线有一拐点电位(Ecr=-40 mV).在-40 mV时,C形环试样发生IGA是由于 生成不稳定的Ni的氧化产物xNi2+yNi3+Oy(OH)2x+y,表面膜保护性 能下降,应力撕破表面膜,活性晶界优先发生溶解形成的.在-30 mV~40 mV时,C形环试样 发生沿晶应力腐蚀破裂( IGSCC)则可能是由于xNi2+yNi3+Oy(OH) 2x+y不稳定,活性晶界分数大于裂纹扩展所需临界分数的缘故.
关键词:
800M合金
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hot concentrated caustic solution
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AES
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enr ichment factor
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IGA
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critical potential