吴为敬
,
颜骏
,
许志平
,
赖志成
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112602.0147
分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性.结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小.另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性.总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料.
关键词:
ZnO TFT
,
IGZO TFT
,
性能比较
,
光电特性
,
阈值电压漂移
高锦成
,
李正亮
,
曹占锋
,
姚琪
,
关峰
,
惠官宝
硅酸盐通报
为优化金属氧化物薄膜晶体管（ IGZO-TFT）的特性，采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层，制备出具有刻蚀阻挡层（ Etch stop layer ，ESL）结构的IGZO TFT，在2．5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2 O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N2 O／SiH4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压（ Vth ）的影响。实验结果表明：IGZO沉积过程中O2浓度的增加、IGZO沉积后N2 O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的Vth正偏移。
关键词:
铟镓锌氧化物薄膜晶体管
,
刻蚀阻挡层
,
N2 O等离子体
,
阈值电压
