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氧气含量对ITO薄膜电学性能及其稳定性的影响

许积文 , 杨祖培 , 王华 , 徐华蕊 , 张小文

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).010

调节磁控溅射工艺中氧气的含量，在玻璃基片上制备了ITO 薄膜.研究氧气含量对 ITO 薄膜光学、电学性能的影响，以及在高温、高温高湿、碱性环境及经时的电学性能的稳定性.结果表明，氧气含量的增加会降低沉积速率；氧气含量对 ITO 薄膜在可见光区内的透光率影响较小，但会引起峰值透光率蓝移；对电学性能及其稳定性影响较大，氧气含量在1％(体积分数)以内时，电学性能呈先降低后升高的变化，在0．4％(体积分数)时具有较低的电阻率，且在各种环境中具有较高的稳定性；氧气含量高于1％(体积分数)，电学性能及其稳定性变差.

关键词: ITO 薄膜 , 氧气含量 , 电学性能 , 稳定性