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铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究

柯笑晗 , 陈云琳 , 朱亚彬 , 范天伟

人工晶体学报

在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究.结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38%,平均透光率比LN衬底提高了1.1%.应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67.

关键词: ITO薄膜 , 铌酸锂 , 磁控溅射 , 光电性质

用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究

温迪 , 雷青松 , 乔治 , 高美伶 , 薛俊明 , 张雯

人工晶体学报

采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响.通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10-4Ω·cm,可见光波段(400~800 nm)平均透过率为82.3%的ITO薄膜.将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04%的HIT太阳能电池.

关键词: ITO薄膜 , 衬底温度 , 溅射功率 , HIT太阳能电池

ITO防电磁辐射玻璃制备方法及性能研究

李建涛 , 许晓丽

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.04.025

采用直流磁控溅射技术在玻璃基板上沉积ITO薄膜,通过调整基板温度、薄膜厚度得到了最低方阻1.4Ω/□.薄膜透光率超过76%.对样品在150 kHz到18 GHz频段内电磁屏蔽效能采用屏蔽室法进行测试,1 G频率点得到的屏蔽效能最好,达到了54 dB,在屏蔽困难的低频段,150 kHz频率点的屏蔽效能达到24 dB.

关键词: ITO薄膜 , 磁控溅射 , 电磁屏蔽 , 屏蔽效能

氧离子后处理对氧化铟锡(ITO)薄膜电学和光学性能的影响

郭向茹 , 周灵平 , 彭坤 , 朱家俊 , 李德意

人工晶体学报

采用氧离子束对电子束蒸发制备且退火后的氧化铟锡(ITO)薄膜进行轰击后处理.经XPS检测发现氧元素在薄膜内含量增加,在深度方向上的梯度差下降.表面Sn4+含量增加,即掺杂离子浓度和载流子浓度提高,从而使薄膜方块电阻显著降低.当氧离子继续轰击时,薄膜的方块电阻保持平稳;同时,透过率曲线蓝移,紫外波段(300~400 nm)的平均透过率提高而可见光范围内(400 ~800 nm)的平均透过率略有下降,这种变化缘于薄膜的禁带宽度与折射率的增加.

关键词: ITO薄膜 , 电子束蒸发 , 氧离子束 , 方块电阻 , 透过率

ITO薄膜可见光区增透性能研究

李仁莹 , 王明 , 董国波 , 高方圆 , 唐芳 , 王玫 , 刁训刚

人工晶体学报

采用MPS单极性脉冲磁控溅射法,在PMMA衬底上制备SiO2增透薄膜,通过改变溅射时间达到最优的增透效果.在此基础上,制备了不同溅射时间的ITO薄膜,系统研究了增透前后的可见光透过率、方块电阻和红外发射率的变化.实验结果表明,增透后薄膜可见光平均透光率提高大约6%,对于溅射时间小于60 min的ITO薄膜增透之后的平均透光率达到80%以上,同时薄膜的方块电阻以及红外发射率变化较小.

关键词: SiO2薄膜 , 增透 , ITO薄膜

射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

王秀娟 , 司嘉乐 , 杨德林 , 谷锦华 , 卢景霄

人工晶体学报

利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4%.在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8 ×10-4Ω·cm,透光率不变.

关键词: ITO薄膜 , 射频磁控溅射 , 电阻率

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