刘航
,
介万奇
,
徐亚东
,
杨睿
人工晶体学报
采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In:ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征.通过红外透过显微成像技术观察了In:ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响.红外透过光谱分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60％,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收.然而,Ⅰ-Ⅴ测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级.同时Hall测试分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的Vzn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级.对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的.
关键词:
MVB-Te溶剂法
,
In掺杂
,
红外透过显微成像
,
Ⅰ-Ⅴ测试
,
Hall测试
胡学兵
,
周健儿
,
徐小勇
,
汪永清
,
张小珍
人工晶体学报
以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO_2粉体.实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO_2粉体的物化性能进行了研究.结果表明:当In掺杂浓度为2 mol%时,掺杂SnO_2粉体具有较低的Zeta电位.相对于纯SnO_2粉体,In掺杂改变了SnO_2的晶胞参数并增大了其晶胞体积.
关键词:
SnO_2粉体
,
In掺杂
,
Zeta电位
,
晶胞体积
戴结林
,
江瑶瑶
,
尚凤娇
,
周智涛
,
王峰
,
赵敏
,
吕建国
硅酸盐通报
采用水热法在ZnO籽晶层上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和室温光致发光谱.结果表明,In离子的掺入未改变薄膜的晶相结构,但抑制了ZnO晶粒的生长,使得ZnO的结晶度明显下降.随着In含量的增加,薄膜表面rms粗糙度和平均颗粒尺寸均逐渐减小,光学带隙Eg先增大后减小.所有薄膜的PL谱中均观察到405 nm左右的紫光发光带,研究了In掺杂量对紫光发光带的强度和峰位的影响,并对其紫光发射机理进行了探讨.
关键词:
In掺杂
,
ZnO薄膜
,
表面形貌
,
光致发光谱
王东
,
史苍际
,
刘春明
,
王常珍
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.02.010
采用固相反应法合成了高温质子导体CaZr0.9In0.1O3-α.XRD分析表明,混合粉体经1673 K×10 h煅烧后形成了预期的钙钛矿结构的CaZrO3基固溶体.激光粒度分析表明,煅烧后的粉体粒度呈双峰分布,主峰对应0.389-0.584 μm,次峰对应3.409-5.867 μm,平均粒径为1.878 μm.采用热压铸成型并经1823 K×8 h烧结的质子导体管密度为理论密度的97.44%,SEM断口形貌显示其颗粒尺寸在1-3 μm之间,结构致密. EDS和电感耦合等离子发射光谱分析(ICP-AES)表明,烧结后的材料中In含量降低. DSC-TG分析表明这是由于在烧结过程中部分In2O3升华和离解造成的.CaZr0.9In0.1O3-α在空气氛中931-1300 K范围内的电导率为9.10×10-5-1.21×10-2S/cm,略低于氢气氛下的测定值,但高于CaZr0.9 In0.1 O3-α>在空气中的测定值,电导激活能为1.47 eV,符合理论预测.
关键词:
CaZrO3
,
In掺杂
,
高温质子导体
,
交流阻抗谱
,
电导率
袁铮
,
桑文斌
,
钱永彪
,
刘洪涛
,
闵嘉华
,
滕建勇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.01.038
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
关键词:
核探测器
,
CdZnTe
,
In掺杂
,
电学性能
马兵
,
程苏丹
,
赵文俞
,
张清杰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00598
设计了一系列名义组成为Zn4Sb3-xInx(0～0.08,Δx=0.02)的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料,并用真空熔融-随炉冷却-放电等离子体烧结工艺成功制备出无裂纹的In掺杂单相β-Zn4Sb3基块体材料.300～700 K内材料的电热输运特性表明,In杂质对Zn4Sb3化合物的Sb位掺杂可导致载流子浓度和电导率大幅度增大、高温下本征激发几乎消失和晶格热导率显著降低,x=0.04和0.08的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3化合物700K时晶格热导率均仅为0.21W/(m·K).与纯β-Zn4Sb3块体材料相比,所有In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料的ZT值均显著增大,x=0.06的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料700K时ZT值达到1.13,提高了69%.
关键词:
热电材料
,
β-Zn4Sb3
,
In掺杂
,
电热输运
杨春利
,
严敏
,
李伟
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160021
采用改进的柠檬酸盐法制备了不同In、Ta掺杂量的BaCeO3基质子导体粉体,干压成型后分别在1 150℃、1250℃和1350℃下进行烧结.采用X射线衍射仪、扫描电镜分别对质子导体的物相结构和微观形貌进行了表征,并采用电化学工作站测定了样品不同温度下的电导率.结果表明,1350℃烧结样品气孔率均小于10％,并且In掺杂量越高越容易烧结.样品在CO2和H2O中的化学稳定性测试结果表明,只掺杂In可以提高样品在水中的化学稳定性,但是对粉末样品高浓度CO2气氛下的稳定性影响不大.In、Ta共掺杂可以大幅度提高样品在CO2中的稳定性,且稳定性随着Ta掺杂量的增加而提高.但是样品在10％湿润氢气气氛下的电导率随着Ta含量的增加而降低,其中,BaCe0.7In0.25Ta0.05O3-δ在800℃时湿氢气下的电导率为1.16×10-3 S/cm.
关键词:
BaCeO3
,
In掺杂
,
Ta掺杂
,
烧结活性
,
化学稳定性
