刘航
,
介万奇
,
徐亚东
,
杨睿
人工晶体学报
采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In:ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征.通过红外透过显微成像技术观察了In:ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响.红外透过光谱分析表明,In:ZnTe...
关键词:
MVB-Te溶剂法
,
In掺杂
,
红外透过显微成像
,
Ⅰ-Ⅴ测试
,
Hall测试
胡学兵
,
周健儿
,
徐小勇
,
汪永清
,
张小珍
人工晶体学报
以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO_2粉体.实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO_2粉体的物化性能进行了研究.结果表明:当In掺杂浓度为2 mol%时,掺杂SnO_2粉体具有较低的Zeta电位.相对于纯SnO_2粉体,In掺杂改变了SnO_2的晶胞参...
关键词:
SnO_2粉体
,
In掺杂
,
Zeta电位
,
晶胞体积
戴结林
,
江瑶瑶
,
尚凤娇
,
周智涛
,
王峰
,
赵敏
,
吕建国
硅酸盐通报
采用水热法在ZnO籽晶层上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和室温光致发光谱.结果表明,In离子的掺入未改变薄膜的晶相结构,但抑制了ZnO晶粒的生长,使得ZnO的结晶度明显下降.随...
关键词:
In掺杂
,
ZnO薄膜
,
表面形貌
,
光致发光谱
王东
,
史苍际
,
刘春明
,
王常珍
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.02.010
采用固相反应法合成了高温质子导体CaZr0.9In0.1O3-α.XRD分析表明,混合粉体经1673 K×10 h煅烧后形成了预期的钙钛矿结构的CaZrO3基固溶体.激光粒度分析表明,煅烧后的粉体粒度呈双峰分布,主峰对应0.389-0.584 μm,次峰对应3.409-5.867 μm,平均粒径为1...
关键词:
CaZrO3
,
In掺杂
,
高温质子导体
,
交流阻抗谱
,
电导率
袁铮
,
桑文斌
,
钱永彪
,
刘洪涛
,
闵嘉华
,
滕建勇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.01.038
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·c...
关键词:
核探测器
,
CdZnTe
,
In掺杂
,
电学性能
