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检索条件：关键词=In组分
李弋 , 刘斌 , 谢自力 , 张荣 , 修向前 , 江若琏 , 韩平 , 顾书林 , 施毅 , 郑有炓
功能材料
应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构.测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态.由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚...
关键词: InGaN/GaN , 多量子阱 , In组分 , X射线衍射
文尚胜 , 范广涵 , 廖常俊 , 刘颂豪
量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.02.017
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模型".解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响.
关键词: 低压有机金属化学气相外延 , InGaAlP , 动压力 , In组分
