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林斯乐 , 马靖 , 程树英
功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.031
利用拉曼光谱结合 XRD与 SEM测试对未掺杂与Ag掺杂的 In2 S3薄膜进行了分析研究。XRD测试结果确定了 In2 S3的物相,并表明掺杂后晶粒尺寸发生一定的变化;拉曼光谱研究表明,掺杂后232、272及300cm-13条拉曼谱线发生红移,这是由于掺杂后晶格膨胀引起的。结合部分拉曼谱线半高宽的展宽证实了掺杂后薄膜中存在间隙 Ag 原子;SEM的测试结果进一步证实Ag掺杂后In2 S3晶格存在膨胀,并说明了In2 S3薄膜的生长方式。
关键词: In2S3 薄膜 , 掺杂 , 拉曼光谱