朱斌
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文忠
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高扬
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杨涛
功能材料
采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅(PZT)铁电陶瓷,研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响.研究结果表明,随着In2O3掺杂量的增加,PZT材料在准同型相界处三方相增加四方相减少,适量掺入In2O3有利于晶粒均匀生长.在不同的铟掺杂剂量下,PZT陶瓷材料分别具有最佳的铁电及压电性能.当铟掺杂量为0.1％(质量分数)时,PZT材料具有最佳的铁电性能,其剩余极化强度为23.43μC/cm2,矫顽场为9.783kV/cm.当铟掺杂量为0.3％(质量分数)时,PZT材料具有最好的压电性能,其tanδ=0.023,d33＝540pC/N,εr=1513,Kp=0.764,Qm=1819.
关键词:
PZT
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陶瓷
,
In2O3掺杂
,
压电
,
铁电
牛新书
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魏平涛
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王雪丽
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茹祥莉
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陈晓丽
材料导报
较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况,并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析,发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高,改善了In2O3的气敏性能,同时还探讨了In2O3对不同气体(H2、H2S、NO2、O3,Cl2、C2H5OH)的敏感机理.
关键词:
In2O3掺杂
,
气敏性
,
机理
