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罗子江 , 周勋 , 郭祥 , 王继红 , 魏文喆 , 王一 , 丁召
材料导报
采用分子束外延(MBE)方法,通过反射高能电子衍射(RH EED)强度振荡测算生长速率,利用RHEED衍射实时监控生长过程,在InAs(001)和InP(001)单晶衬底上生长高In组分的InGaAs薄膜,并通过扫描隧道显微镜(STM)对其表面形貌和表面重构进行了细致分析,STM图片证实采用该方法获...
关键词: InAs , InP , InGaAs , MBE/STM , 表面形貌
半导体学报(英文版) doi:10.1088/1674-4926/31/4/042001
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