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王继红 , 罗子江 , 周勋 , 张毕禅 , 郭祥 , 丁召
材料导报
利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜.利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描分析,证实样品表面...
关键词: InAs薄膜 , 分子束外延 , 反射高能电子衍射 , 扫描隧道显微镜 , 表面重构