梅斌
,
徐刚毅
,
李爱珍
,
李华
,
李耀耀
,
魏林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.007
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件...
关键词:
高分辨X射线衍射
,
InGaAs
,
InAlAs
,
错向角
,
摇摆曲线
,
倒空间mapping
罗子江
,
周勋
,
郭祥
,
王继红
,
魏文喆
,
王一
,
丁召
材料导报
采用分子束外延(MBE)方法,通过反射高能电子衍射(RH EED)强度振荡测算生长速率,利用RHEED衍射实时监控生长过程,在InAs(001)和InP(001)单晶衬底上生长高In组分的InGaAs薄膜,并通过扫描隧道显微镜(STM)对其表面形貌和表面重构进行了细致分析,STM图片证实采用该方法获...
关键词:
InAs
,
InP
,
InGaAs
,
MBE/STM
,
表面形貌
郭祥
,
王一
,
魏文喆
,
黄梦雅
,
赵振
,
王继红
,
胡明哲
,
丁召
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.02.005
利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14 Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜.采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分...
关键词:
MBE
,
InGaAs
,
表面形貌
徐安怀
,
陈晓杰
,
齐鸣
,
朱福英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.005
采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的...
关键词:
分子束外延
,
碳掺杂
,
四溴化碳
,
InGaAs
,
异质结双极晶体管
李献杰
,
曾庆明
,
徐晓春
,
敖金平
,
刘伟吉
,
梁春广
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.012
用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
关键词:
InP
,
InGaAs
,
选择腐蚀
,
HBT
孟庆端
,
吕衍秋
,
鲁正雄
,
孙维国
低温物理学报
制备了平面结InGaAs短波红外探测器,分别测量了其在室温及液氮温区的响应光谱、电流～电压曲线和光生信号及噪声,发现其光生信号与室温测量值相比下降了大约50%.在液氮温区的测试结果表明,短波探测器的峰值响应率为Rvp=2.41(107V/W),峰值探测率Dp*=1.51(1012(cmHz)1/2/...
关键词:
双色探测器
,
InGaAs
,
探测率
罗子江
,
周勋
,
贺业全
,
何浩
,
郭祥
,
张毕禅
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs（001）基片上外延生长了不同In组分（39%、29%、19%）的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In...
关键词:
MBE
,
RHEED
,
STM
,
InGaAs薄膜
