李宝吉
,
吴渊渊
,
陆书龙
,
张继军
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.007
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征.结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度.通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重,而采用图形化衬底生长的InGaN原子排列清晰规则.这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式,这种生长模式可有效地抑制穿透位错在GaN材料体系中的纵向延伸,降低GaN缓冲层中的位错密度,进而抑制外延InGaN材料中穿透位错和V型缺陷的产生.
关键词:
InGaN
,
图形化衬底
,
分子束外延
,
晶体质量
陆大成
,
刘祥林
,
韩培德
,
王晓晖
,
汪度
,
袁海荣
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.001
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。
关键词:
GaN
,
InGaN
,
AlGaN
,
双异质结
,
量子阱
,
蓝光LED
,
绿光LED
,
MOVPE
王连家
,
竹有章
,
王红霞
,
刘本利
功能材料
用金属有机气相沉积(MOCVD)方法在c-Al2O3衬底上生长了InGaN三元合金薄膜,重点研究了其光致发光光谱,通过改变光谱仪的接收位置,观察到PL谱之间的差异.为了验证此种现象和激发光功率的相关性,实验中通过改变激发光的强度,从而断定强功率的激发光会引起局域化激子复合发光的受激辐射,从而导致PL谱中伴峰的出现,以及发光峰光强变强.通过实验数据和理论计算数值的分析比较,初步认为薄膜波导对出射光具有的微腔效应,薄膜波导的吸收、反射和透射所造成的波长选择效应是PL谱之间存在差异的原因.
关键词:
InGaN
,
PL谱
,
受激辐射
,
波导效应
康凌
,
刘宝林
,
蔡加法
,
潘群峰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.006
采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅GaN材料的光学性质.在室温下,InGaN材料带边峰位置为437.0 nm,半高宽为14.3 nm;GaN材料带边峰位置为363.4 nm,半高宽为9.5 nm.进行变温测量发现,随温度的升高,两种材料的发光强度降低,半高宽增大;GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象,与Varshini公式符合较好;InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移-蓝移-红移现象,这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子-空穴对的形成而造成的无序程度增加有关,对大于140 K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合,符合较好.
关键词:
InGaN
,
GaN
,
半高宽
,
红移
,
蓝移
,
黄带
李昱峰
,
陈振
,
韩培德
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.006
采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石(0001)面(即C面)和蓝宝石(1102)面(即R面)上形成了InGaN量子点,并构成了该量子点的多层结构.原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约40nm,高约15nm;而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大.R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比,其PL谱不仅强度高,而且没有多峰结构.这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向[0001]存在较强的内建电场,而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向[1120]没有内建电场.InGaN量子点变温光致发光(PL)谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象,这是量子点系统所特有的PL谱特征.用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响,得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件.
关键词:
InGaN
,
量子点
,
MOCVD
