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固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析

曹雪 , 舒永春 , 叶志成 , 皮彪 , 姚江宏 , 邢晓东 , 许京军

人工晶体学报

本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.

关键词: 热力学 , 固态源分子束外延 , InGaP , GaAs , 异质结构

采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较

周海飞 , 龚谦 , 王凯 , 康传振 , 严进一 , 王庶民

材料科学与工程学报

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质.利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%.通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响.通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用.

关键词: 分子束外延 , InGaP , InAlP , 张应变Ge

GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀

林玲 , 王伟 , 徐安怀 , 孙晓玮 , 齐鸣

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.014

对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小.

关键词: 湿法腐蚀 , GaAs , InGaP , 柠檬酸

GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究

李爱珍 , 李华 , 李存才 , 胡建 , 唐雄心 , 齐鸣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.032

报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs样品的x轴和y轴以5 mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布.结果表明,用GSMBE生长的Φ50 mm和Φ75 mm In0.49Ga0.51P与GaAs衬底的失配度分别为1×10-4和1×10-5,组分波动Φ50 mm沿x轴和y轴分别为±0.1%和±0.2%,Φ75 mm <±1%.表面缺陷密度在1×10~1×102 cm-2.

关键词: InGaP , 均匀性 , 气态源分子束外延 , X射线双晶衍射 , InGaP/GaAs

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