董少光
,
李炳乾
材料导报
确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值.用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素.影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N:In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同.
关键词:
InN材料
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带隙
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Moss-Burstein效应
,
深能级
,
化学计量
