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MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征

李亮 , 张荣 , 谢自力 , 张禹 , 修向前 , 刘成祥 , 毕朝霞 , 陈琳 , 刘斌 , 俞慧强 , 韩平 , 顾书林 , 施毅 , 郑有炓

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.028

本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响.InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程.通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少.

关键词: MOCVD , InxGa1-xN , 薄膜 , 缓冲层

纤锌矿InxGa1-xN合金的电子结构和光学性质的第一性原理研究

阮兴祥 , 张富春 , 张威虎

稀有金属材料与工程

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究In掺杂对纤锌矿Inx GahN合金的晶格常数、能带结构、态密度和光学性质的影响.计算结果表明:随着In掺杂浓度的增加,晶格常数逐渐增大,导带向低能方向移动,带隙变窄;与此同时,介电函数向低能方向发生了漂移,发生了红移现象.在2.0 eV附近出现了第一个介电峰,在4.76 eV附近出现了最大的介电峰.在大约5.6 eV和9.2 eV处有两个交叉点,当光子能量低于5.6或者高于9.2 eV,低掺杂浓度(小于50%)的吸收系数小于高掺杂浓度的吸收系数;当光子能量在5.6到9.2 eV之间,低掺杂浓度的吸收系数高于高掺杂浓度的吸收系数.研究结果表明InxGa1-xN合金可以作为太阳能电池以及透明导电薄膜的材料.

关键词: TnxGa1-xN , 第一性原理 , 合金 , 特性

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