董兵海
,
王世敏
,
许祖勋
,
吴会光
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.011
在Pt/Ti/SiO2/Si基片上采用Sol-Gel法制备了五组分成分梯度分布的KTa1-xNbxO3(x=0.55,0.525,0.50,0.425,040)热释电薄膜.测试结果表明,复合KTN薄膜具有钙钛矿型结构,0.5μmKTN薄膜在15℃至51℃温度范围内,频率1.0kHz时,平均相对介电常数εr=1075,平均介电损耗tanδ=0.011.在室温及120kV/cm下极化30min后,0.5μm复合薄膜在15-51℃温度范围内热释电系数出现峰值,平均热释电系数为3.54×10-6C/(cm2·K),电压响应优值Fv=1.205×10-9C·cm/J,探测度优值Fd=3.768×1-7C·cm/J.该薄膜工作温度范围较宽,作为热释电材料开发应用前景十分广阔.
关键词:
多组分梯度
,
KTN薄膜
,
铁电性能
,
热释电性能
董兵海
,
王世敏
,
许祖勋
,
吴会光
材料导报
以TaCl5和NbCl5为原料制备了乙醇钽和乙醇铌,对溶胶-凝胶法制备KTa1-xNbxO3薄膜的工艺过程、影响因素进行了研究,提出了优化的制备工艺,采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了组分梯度复合KTa1-xNbxO3热释电薄膜.
关键词:
KTN薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
制备
王晓东
,
彭晓峰
,
张端明
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.032
用PLD技术结合后期退火,在透明石英单晶(100)上制备了高取向的纯钙钛矿相KTN薄膜.对薄膜的光学、电学性能分析表明,薄膜铁电居里温度为15℃,矫顽场7.32kV/cm,剩余极化强度9.25μC/cm2,折射率在波长1.2μm处为1.776,厚度968nm,沉积速率约为0.027nm/脉冲.I-V特性表明,低电场强度下,I-V服从欧姆定律,高电场强度下,I-V服从平方关系,可用空间电荷限制电流(SCLC)模型解释.薄膜漏电流在0～5V内低于250μA/mm2,具有良好的电学性能,C-F测试表明,低频电容色散大,高频色散小,在室温10kHz时介电常数为12600.介电损耗tanδ为0.04.
关键词:
PLD技术
,
KTN薄膜
,
石英单晶
