牟其善
,
刘希玲
,
马长勤
,
王绪宁
,
路庆明
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.002
研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷, 对于改善它的性能和应用前景, 有很大的意义. 本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷, 实验结果表明, 两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著, KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物. 讨论了这些缺陷形成的原因.
关键词:
KTiOAsO4晶体
,
同步辐射X射线形貌术
,
缺陷
,
铁电畴