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SOI射频集成器件研制

杨荣 , 李俊峰 , 钱鹤 , 韩郑生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.011

提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅...

关键词: 射频 , 绝缘硅 , LDMOS , NMOS , 电感 , 结构 , 制造

SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展

徐光明 , 郭宇锋 , 花婷婷 , 徐跃 , 吉新春

功能材料与器件学报

SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键.本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因；然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理；而后基于这三种技术,...

关键词: LDMOS , 超薄SOI , 界面电荷 , 低k介质 , 纵向耐压

用于LED驱动芯片的500V级SOI高压器件的研究

张斌 , 朱文清 , 王中健

功能材料与器件学报

本文针对现代LED驱动芯片对高压元器件的需要,结合SOI衬底技术在功率集成电路上的优势,分析了SOI高压器件的耐压原理,提出500V级SOI高压器件设计方案.在SOI衬底上设计了具有40μm线性渐变掺杂漂移区的LDMOS结构,对器件性能进行了仿真,并开发了与CMOS工艺兼容的制备流程.成功进行实验,...

关键词: SOI , LED , LDMOS , 高压器件

高性能图形化SOI功率器件的研制

程新红 , 宋朝瑞 , 杨文伟 , 俞跃辉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.015

利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏...

关键词: 图形化SOI技术 , LDMOS , 射频功率器件 , 增益

一种新型低阻SOI P-LDMOS研究

孙智林 , 孙伟锋 , 易扬波 , 吴建辉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.015

提出了一种新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没有长时间的高温过程,进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度.模拟结果表明新型P-LDMOS性能得到明显改善,与传统P-LDMOS相...

关键词: LDMOS , 导通电阻 , 表面注入 , SOI

高压n LDMOS漂移区的设计研究

宋李梅 , 王文博 , 杜寰 , 夏洋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.023

讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对 于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研...

关键词: RESURF , LDMOS , 击穿电压

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/5/054006

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